A Snapback-Free and Low-Loss RC-IGBT With Lateral FWD Integrated in the Terminal Region
نویسندگان
چکیده
منابع مشابه
A snapback-free reverse conducting IGBT with recess and floating buffer at the backside
We propose two novel ways to alleviate the reverse conducting insulated gate bipolar transistor (RC-IGBT) snapback phenomenon by introducing the floating field stop layer with a lightly doped p-floating layer and recess structure at the backside. The floating field stop layer is submerged in the N-drift region and located several micrometers above the P+ anode region, which would not degrade th...
متن کاملthe study of aaag repeat polymorphism in promoter of errg gene and its association with the risk of breast cancer in isfahan region
چکیده: سرطان پستان دومین عامل مرگ مرتبط با سرطان در خانم ها است. از آنجا که سرطان پستان یک تومور وابسته به هورمون است، می تواند توسط وضعیت هورمون های استروئیدی شامل استروژن و پروژسترون تنظیم شود. استروژن نقش مهمی در توسعه و پیشرفت سرطان پستان ایفا می کند و تاثیر خود را روی بیان ژن های هدف از طریق گیرنده های استروژن اعمال می کند. اما گروه دیگری از گیرنده های هسته ای به نام گیرنده های مرتبط به ا...
15 صفحه اولthe u.s. policy in central asia and its impact on the colored revolutions in the region (the case study of tulip revolution in kyrgyzstan)
چکیده ندارد.
15 صفحه اولthe past hospitalization and its association with suicide attempts and ideation in patients with mdd and comparison with bmd (depressed type) group
چکیده ندارد.
Loss Characteristics of 6.5 kV RC-IGBT Applied to a Traction Converter
6.5 kV level IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) modules are widely applied in megawatt locomotive (MCUs) traction converters, to achieve an upper 3.5 kV DC link, which is beneficial for decreasing power losses and increasing the power density. Reverse Conducting IGBT (RC-IGBT) constructs the conventional IGBT function and freewheel diode function in a single chip, which has a greater flow...
متن کاملذخیره در منابع من
با ذخیره ی این منبع در منابع من، دسترسی به آن را برای استفاده های بعدی آسان تر کنید
ژورنال
عنوان ژورنال: IEEE Access
سال: 2019
ISSN: 2169-3536
DOI: 10.1109/access.2019.2960438